• 057 763 03 73
  • 066 551 05 29
  • 098 925 01 09
  • 093 170 06 37
График работы
9.00-19.00
Пн-Пт
10.00-16.00
Сб
Выходной
Вс
УКР | РУС
Закрыть
Каталог товаров
Закрыть
Главная страницаКомпьютеры, комплектующиеКомплектующие ПКОперативная память

DDR3

Подобрать по параметрам
грн.
(12)
(7)
(6)
(55)
(39)
(1)
(8)
(10)
(3)
(1)
(4)
(8)
(3)
(45)
(4)
(5)
(1)
(16)
(3)
(9)
Подобрать по параметрамПодобрать по параметрам
Вид выводить плиткой выводить списком
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11 (11-11-11)
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
2 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
2 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Еще 32 товара
Страницы 1 2 3 4 »

Возникла необходимость купить модуль памяти DDR3 в Харькове и других городах Украины? Наш магазин Эра Электроники готов представить широкий ассортимент моделей и производителей. Оперативкой называют временную память ПК, в которой хранятся данные о выполняющихся процессах, обнуляющихся при выключении и перезагрузке компьютера. От количества ячеек, из которых она состоит, зависит объем информации, способной храниться единовременно без перезаписи или обращения к файлу подкачки. Взаимодействуя с процессором и материнской платой, модуль памяти имеет прямое влияние на производительность и скорость работы системы. К основной характеристике оперативки относят ее пропускную способность – максимальное значение того количества данных, которое может быть в нее записано за единицу времени. Если вы вдруг обнаружили нехватку ресурсов и/или приняли решение проапгрейдить своего железного помощника, наиболее простым и наименее затратным способом модернизации станет увеличение объема ОЗУ, что не потребует много времени и специальных знаний. Хорошим выбором в осуществлении этого станет оперативка DDR3.

Модули памяти DDR3

Оперативку еще называют синхронной динамической памятью, так как сигналы и данные, расположенные на ее шине, синхронизируются с импульсами, называемыми тактирующими. Оперативная память типа DDR3 – представитель третьего поколения с улучшенными техническими параметрами в сравнении с предыдущими версиями. Ее ключевыми преимуществами можно назвать сниженный на 40 % уровень энергопотребления, чему способствуют модернизированные чипы с их сниженным рабочим напряжением (1,5 V), а также увеличенную пропускную способность. Буфер предварительной выборки, или prefetch buffer, может похвастаться величиной 8 бит (против 4 бит у предыдущего поколения). Существует несколько видов модулей памяти типа DDR3, однако стандартными признаны такие, как DDR3-1066, где последние четыре цифры обозначают частоту работы в МГц, DDR3-1333 (1333 МГц, соответственно), DDR3-1600 (с частотой 1600 МГц).

Оперативная память DDR3

Имеет ряд преимуществ, отличающих ее от аналогичных компонентов персональных компьютеров, в сравнении с предшествующими поколениями:

  • Сборка модуля отличается большим удобством благодаря зеркальному расположению контактов.
  • Установленный на конце шины резистор помогает избежать ослабления сигнала и способствует более стабильной работе системы.
  • Данные шины калибруются автоматически.
  • CAS Write Latency выполняется за такт.

Цена на оперативную память DDR3

Может варьироваться в зависимости от конкретной модели, которую вы выбрали, и ее технических параметров. Спросом и популярностью пользуются товары таких производителей, как Corsair, Hynix, Kingston, Samsung, Silicon Power, Transcend и многие другие, представленные на сайте нашего онлайн-магазина. Вы легко можете сравнить различные модели, чтобы выбрать наиболее подходящую и соответствующую вашим запросам, и купить оперативную память DDR3. Покупки с нами – это комфортно и удобно, обращайтесь к менеджерам Эры Электроники, и мы с радостью поможем вам сделать правильный выбор, который будет радовать не только вас, но и ваш компьютер.

Закрыть