• 057 763 03 73
  • 066 551 05 29
  • 098 925 01 09
  • 093 170 06 37
График работы
9.00-19.00
Пн-Пт
10.00-16.00
Сб
Выходной
Вс
УКР | РУС
Закрыть
Каталог товаров
Закрыть
Главная страницаКомпьютеры, комплектующиеКомплектующие ПКОперативная памятьDDR3
Вы выбрали
Объем памяти
Удалить 4 Гб
Найдено товаров: 53
Подобрать по параметрам
от до грн.





4 Гб (53)





AMD (2)
Apacer (2)
Crucial (3)
Geil (1)
Goodram (6)
Hynix (2)
Kingston (16)
Patriot (4)
Samsung (2)
Team (8)
eXceleram (7)

DDR3 4 Гб

Подобрать по параметрамПодобрать по параметрам
Вид выводить плиткой выводить списком
Сортировать
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL9
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11 (11-11-11)
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CL9
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
11-11-11-30
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
11-11-11-28
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CL9
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Activate to Precharge Delay (tRAS) 24
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
9-9-9-24
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL=11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
11-11-11-28
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
9-9-9-24
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL 11-11-11-28
Страницы 1 2 »

Закрыть