• 057 763 03 73
  • 066 551 05 29
  • 098 925 01 09
  • 093 170 06 37
График работы
9.00-19.00
Пн-Пт
10.00-16.00
Сб
Выходной
Вс
УКР | РУС
Закрыть
Каталог товаров
Закрыть
Главная страницаКомпьютеры, комплектующиеКомплектующие ПКОперативная памятьDDR3
Вы выбрали
Производитель
Удалить Kingston
Найдено товаров: 39
Подобрать по параметрам
грн.
(34)
(5)
(2)
(3)
(6)
(13)
(15)
(4)
(24)
(11)
(+1)
(+6)
(+8)
(+6)
(+6)
(+4)
(+12)
(+4)
(39)
(+4)
(+4)
(+13)
(+1)
(+8)

DDR3 Kingston

Подобрать по параметрамПодобрать по параметрам
Вид выводить плиткой выводить списком
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
2 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11
Объем памяти
2 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11 (11-11-11)
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Бесплатная доставка
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Бесплатная доставка
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Бесплатная доставка
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1333 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CL11
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL): 10, RAS to CAS Delay (tRCD): 10, Row Precharge Delay (tRP): 10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 10 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 10
Объем памяти
2x4 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
10-11-10
Бесплатная доставка
Объем памяти
2x8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
11-11-11
Объем памяти
8 Гб
Частоты работы памяти
1600 МГц
Штатные тайминги
10-10-10
Объем памяти
4 Гб
Частоты работы памяти
1866 МГц
Штатные тайминги
11-11-11

Закрыть