График работы
9.00-19.00
Пн-Пт
10.00-16.00
Сб
Выходной
Вс
УКР | РУС
Каталог товаров
...
Интернет-магазинКомпьютеры, комплектующиеКомплектующие ПКОперативная памятьDDR4

DDR4 4 ГБ

Вы выбрали
Объем памяти
Удалить 4 ГБ
Найдено товаров: 29
2x4 ГБ (+15)
2x8 ГБ (+131)
2x16 ГБ (+59)
2x32 ГБ (+26)
4 ГБ (29)
4x16 ГБ (+13)
8 ГБ (+100)
16 ГБ (+99)
32 ГБ (+24)
AMD (2)
Apacer (2)
Dato (1)
Geil (2)
Team (4)
Подобрать по параметрамПодобрать по параметрам
Вид выводить плиткой выводить списком
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Новинка
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL22
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL15-16-16-39
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-36
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
16-16-16-39
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19-19-19-43
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Штатные тайминги
CL15
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16-16-16-38
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
19-19-19-43
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Штатные тайминги
CAS Latency (CL) 15 RAS to CAS Delay (tRCD) 15 Row Precharge Delay (tRP) 15
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Еще 32 товара
Страницы 1 2 3 4 »