DDR4 G.Skill
Вы выбрали
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
4 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL19-20-20-40
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL19-20-20-40
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
16 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
16 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
16 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
16 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
15-15-15-35-2N
Напряжение питания
1.2 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
15-15-15-35-2N
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-36
Напряжение питания
1.35 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-36
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
8 ГБ
Частоты работы памяти
2400 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x32 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL18-18-18-43
Напряжение питания
1.2 В
2x32 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL18-18-18-43
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2666 МГц
Штатные тайминги
CL15
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x32 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
2x32 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL18-22-22-42
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL18-22-22-42
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL16-19-19-39
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL16-19-19-39
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3200 МГц
Штатные тайминги
CL16-18-18-38
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2800 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2800 МГц
Штатные тайминги
CL16
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
8 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
8 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Штатные тайминги
CL15-15-15-35
Напряжение питания
1.2 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
2133 МГц
Штатные тайминги
CL15-15-15-35
Напряжение питания
1.2 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3600 МГц
Штатные тайминги
CL17
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL14
Напряжение питания
1.35 В
2x8 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL14
Напряжение питания
1.35 В
Объем памяти
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL14
Напряжение питания
1.35 В
2x16 ГБ
Частоты работы памяти
3000 МГц
Штатные тайминги
CL14
Напряжение питания
1.35 В